安建积体电路完成1.8亿元B轮融资，超越摩尔投资领投

3月25日，矽功率电子器件的厂商安建矽无限期获得1.8亿元B轮投资，本轮投资由遥遥领先米勒投资者领投，弘鼎资产、龙鼎投资者、联和资产、君盛投资者和金建诚投资者跟投。此次资金将主要用于极低、低压MOS和IGBT全系列厂商整合、第三代矽SiC电子器件整合和IGBT模块封测厂建设。

问及此次投资者逻辑，遥遥领先米勒董事董事史晶星Clark问到，功率电子器件是西方最大概率可以构建弯道转弯的赛道，也长期是遥遥领先米勒的重点布局侧向之一。

据明白，安建矽成立于2016年，专注于矽功率电子器件的研发、设计和销售。

现今，安建矽的厂商线并未扩展到大部份MOS管和IGBT厂商，其中已有三条厂商线构建量产，分别是低电位的SGT-MOS管（封禁栅铋场效应电子元件）、极低电位的SJ-MOS管（超结铋场效应电子元件）、Field Stop Trench IGBT（场据统计沟槽标准型绝缘栅非同电子元件），厂商外具备极低性能可靠性。

未来，安建矽还将针对多种不同应用场景还将继续整合多种不同性能和多种不同标准的厂商，构建功率电子器件所有电位和电位全覆盖，完成做全系列极低低压MOS管和IGBT厂商的尽可能。

团队方面，创始人单曹魏本硕博考入于加拿大多伦多大学康奈尔大学各个领域，1988年Clark考入后任布鲁克林区飞利浦研究所极低级教授，1991年出国一同创办香马公科技大学，任电子与人工智能工程系客座教授。在马公科大教书其间，单曹魏长期在做功率电子器件的技术储备和人才培训，2015年登台参予西方香马公央企华虹矽最主要会议，会议决定双方适配合作，翌年正式成立安建矽研发矽功率电子器件。

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